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三星宣布，将在京畿道器兴园区建立新的半导体研发中心，旨在扩大其在先进半导体技术方面的领导地位。包括三星电子副会长李在镕在内的众多高层管理人员，共100多名三星的员工，出席了新半导体研发中心的奠基仪式。
三星计划到2028年，在器兴园区109000平方米的区域内投资约20万亿韩元（约合人民币1020亿元），主要负责内存、系统半导体、以及半导体工艺的研究，以及基于长期路线图的创新技术开发工作。三星电子联席CEO兼设备解决方案部门负责人庆桂显表示：
“我们新的研发综合体将成为最先进的创新中心，来自世界各地的最优秀的研究人员可以在这里共同成长。以此为起点，预计会为我们半导体业务的可持续增长奠定基础。”
器兴园区位于首尔的南部，与目前GAA 3nm生产线所在的华城园区相近，1992年在这里诞生了世界第一个64Mb DRAM，标志着三星在半导体行业领导地位的开始。附近还有三星的平泽厂区，那里是世界上最大的半导体工厂群，三星希望可以提升三个主要半导体综合体之间的协同作用。
李在镕随后参观了华城园区，并与设备解决方案部门的员工会面，讨论了在公司内部促进创新的方法。此外，李在镕还与设备解决方案部门的高层举行了会议，讨论了全球半导体行业的当前问题、下一代半导体技术研发的进展、以及如何确保以技术扩大半导体领导地位等议题。